武漢新瑞科電子科技有限公司成立于2000年，有著二十多年功率半導體的銷售經(jīng)驗,專注于通用/高壓變頻器、礦用變頻器、SVG/APF電能質(zhì)量,電源、電磁加熱/感應加熱、機車牽引、電網(wǎng)輸配電、風力發(fā)電、光伏發(fā)電、、電動汽車等新能源行業(yè)應用。我司提供強大的技術支持,常備大量庫存，歡迎選購。13429930370程女士。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。